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BFG325W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG325W
廠商型號(hào)

BFG325W

參數(shù)屬性

BFG325W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN 14 GHz wideband transistor

文件大小

85.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 11:19:00

BFG325W規(guī)格書詳情

General description

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.

Features

■ High power gain

■ Low noise figure

■ High transition frequency

■ Gold metallization ensures excellent reliability

Applications

■ Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:

◆ analog and digital cellular telephones

◆ cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication

Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)

◆ radar detectors

◆ pagers

◆ Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFG325W/XR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    14GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    18.3dB

  • 功率 - 最大值:

    210mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 15mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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