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BFG325/XR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG325/XR
廠商型號

BFG325/XR
參數(shù)屬性

BFG325/XR 封裝/外殼為SOT-143R；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R
功能描述

NPN 14 GHz wideband transistor
封裝外殼

SOT-143R
文件大小

78.43 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-13 18:33:00

BFG325/XR規(guī)格書詳情

General description

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.

Features

■ High power gain

■ Low noise figure

■ High transition frequency

■ Gold metallization ensures excellent reliability

Applications

■ Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:

◆ analog and digital cellular telephones

◆ cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication

Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)

◆ radar detectors

◆ pagers

◆ Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners

◆ repeater amplifiers in fiber-optic systems

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFG325/XR,215

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    14GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益：

    18.3dB

  • 功率 - 最大值：

    210mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 15mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-143R

  • 描述：

    RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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