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BF1108R

SiliconRFswitches

DESCRIPTION Theseswitchesareacombinationofadepletiontypefield-effecttransistorandabandswitchingdiodeinanSOT143B(BF1108)orSOT143R(BF1108R)package.ThelowlossandhighisolationcapabilitiesofthesedevicesprovideexcellentRFswitchingfunctions.ThegateoftheMOSFETca

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BF1108R

SiliconRFswitches

Generaldescription TheseswitchesareacombinationofadepletiontypeField-EffectTransistor(FET)andaband-switchingdiodeinanSOT143B(BF1108)orSOT143R(BF1108R)package.ThelowlossandhighisolationcapabilitiesofthesedevicesprovideexcellentRFswitchingfunctions.Thegateo

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BF1108R

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BF1108W

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BF1108WR

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

CDCLVC1108

3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CDCLVC1108

3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CDCLVC1108

3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily

TI1Texas Instruments

德州儀器

CDCLVC1108PW

3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CDCLVC1108PW

3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily

TI1Texas Instruments

德州儀器

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BF1108,215

  • 功能描述：

    射頻MOSFET小信號晶體管 Single N-CH 7V 10mA 4 LEADS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Dual Dual Gate

  • 晶體管極性：

    N-Channel 電阻汲極/源極

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    6 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    6 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    30 mA

  • 功率耗散：

    180 mW

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SC-88

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
NXP(恩智浦)
21+
6000
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個朋友
 詢價
NXP(恩智浦)
22+
NA
6000
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價
NXP(恩智浦)
23+
NA
6000
原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢
 詢價
NXP USA Inc.
2022+
SOT-143B
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
NXP(恩智浦)
23+
N/A
6000
公司只做原裝，可來電咨詢
 詢價
NXP Semiconductors
23+/22+
5741
原裝進口訂貨7-10個工作日
 詢價
NXP
10
詢價
NXP(恩智浦)
24+
N/A
20000
原裝進口正品
 詢價
YEZHAN
24+
SMD
30
C32-端子
 詢價
更多BF1108,215供應商 更新時間2025-2-18 10:09:00

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