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BDT64AF

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-12A ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A ?ComplementtoTypeBDT65F/AF/BF/CF APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BDT64B

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.TO-220plasticenveloppe.NPNcomplementsareBDT65,BDT65A,BDT65BANDBDT65C.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BDT64B

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDT65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BDT64B

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication.PNPcomplementsareBDT65-A-B-CCompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BDT64BF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-12A ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A ?ComplementtoTypeBDT65F/AF/BF/CF APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BDT64BF

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.TO-220plasticenveloppe.NPNcomplementsareBDT65,BDT65A,BDT65BANDBDT65C.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BDT64BF

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=-12A ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A ?ComplementtoTypeBDT65F/AF/BF/CF APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BDT64C

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.TO-220plasticenveloppe.NPNcomplementsareBDT65,BDT65A,BDT65BANDBDT65C.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BDT64C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDT65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BDT64C

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication.PNPcomplementsareBDT65-A-B-CCompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

晶體管資料

  • 型號：

    BDT64A

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    >10MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDV64A,BDW46,BDW94B,BDX88B,2N6051,

  • 最大耗散功率：

    125W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-89

  • vtest：

    80

  • htest：

    10000100

  • atest：

    12

  • wtest：

    125

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BDT64

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB PNP -60V -12A 125W BCE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220
10000
全新
 詢價
ST
17+
TO-220
6200
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NS/國半
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TO-223-5
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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ST/意法
2022+
TO-220
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
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23+
SMD
5177
現(xiàn)貨
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ST
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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ST
25+
TO-TO-220
37650
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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ST
21+
TO-220
23480
詢價
ST
23+
TO-220
9896
詢價
PHILIPS
24+/25+
200
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
更多BDT64供應商 更新時間2025-4-17 16:01:00

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