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BDT65B

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BDT65B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=12A ·HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=5A ·ComplementtoTypeBDT64/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT65B

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. PNPcomplementsareBDT64-A-B-CCompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BDT65B

Silicon NPN Darlington Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDT65BF

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-IC=12A ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=5A ?ComplementtoTypeBDT64F/AF/BF/CF APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurpose amplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDT65BF

Silicon NPN Darlington Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BDT65B

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    >10MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDV65B,BDW42,BDW93C,BDX65B,BDX87C,2N6059,

  • 最大耗散功率：

    125W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-89

  • vtest：

    100

  • htest：

    10000100

  • atest：

    12

  • wtest：

    125

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BDT65B

  • 制造商：

    ISC

  • 制造商全稱：

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述：

    isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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更多BDT65B供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 14:30:00

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