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BD135G

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BD135G

PlasticMedium-PowerSiliconNPNTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BD135T

NPNSiliconEpitaxialPowerTransistor

NPNSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR ThesedevicesaredesignedasAudioAmplifier andDriversUtilizing.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

BD135TG

PlasticMedium-PowerSiliconNPNTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BD135-TU

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BF135

2.00mmPitchPinHeader,DualRow,SurfaceMount,Horizontal

GCT

Global Connector Technology

BFG135

NPN7GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT223envelope,intendedforwidebandamplifierapplications.Thesmallemitterstructures,withintegratedemitter-ballastingresistors,ensurehighoutputvoltagecapabilitiesatalowdistortionlevel. Thedistributionoft

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFG135

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BFG135

NPN7GHzwidebandtransistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFG135A

NPNSiliconRFTransistor(Forlow-distortionbroadbandoutputamplifierstagesinantennaandtelecommunications)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-distortionbroadbandamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 70mAto130mA ?PoweramplifiersforDECTandPCNsystems ?Integratedemitterballastresistor ?fT=6GHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCR135S

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質：

    差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    6

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    H-23

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數

  • 型號：

    BCR135S

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Transistor Array NPN 10K 47K 50V SOT363

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon/英飛凌
2019+
SOT363
36000
原盒原包裝 可BOM配套
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-363
163000
一級代理保證進口原裝正品現貨假一罰十價格合理
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
Infineon
2021+
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現貨價秒殺全網
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INFINEON
24+
SOT-363SOT-323-6
12128
新進庫存/原裝
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INFINEON
24+
SOT363
3600
絕對原裝!現貨熱賣!
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INFINEO
SOT363
3000
原裝長期供貨!
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INFINEON
13+
SOT363
4300
原裝分銷
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INFINEON
23+
SOT-363
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
更多BCR135S供應商 更新時間2025-3-29 10:20:00

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