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BCR135S	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR135S	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR135S	文件：43.79 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR135T	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR135W	文件：490.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR135W	文件：34.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47K?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR135W	文件：211.2 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD135	文件：185.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BD135	文件：41.31 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
BD135	文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc ?BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BD135	文件：33.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：44.25 Kbytes Page：8 Pages	NPNpowertransistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BD135	文件：76.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：56.73 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD135	文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages	Complementarylowvoltagetransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BD135	文件：110.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD135	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
BD135	文件：69.95 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES ?HighCurrent.(Max.:1.5A) ?LowVoltage(Max.:45V) ?DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A ?ComplementarytoBD136.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BD135	文件：357.96 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc ?ComplementarywithBD136,BD138,BD140	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BD135	文件：235.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central

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晶體管資料

型號：
BCR135S
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質：
差分放大器射極輸出（Dual）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
6
可代換的型號：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
BCR135S
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Transistor Array NPN 10K 47K 50V SOT363

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	BCR135S	Infineon/英飛凌	2019+	SOT363	36000	原盒原包裝可BOM配套	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BCR135S	Infineon(英飛凌)	23+	N/A	12000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司	BCR135S	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
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更多BCR135S供應商更新時間2025-1-8 16:03:00

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詳細參數(shù)

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