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BCP56-10T

Marking：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10T

80 V, 1 A PNP medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10T

Marking：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10T1

NPN Silicon Epitaxial Transistor

TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT-223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features ?Pb?FreePackageisAvailable ?HighCurrent:1.0Amp ?TheSOT-223packagec

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BCP56-10T1G

NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPNSiliconEpitaxialTransistor TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT?223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features ?HighCurrent:1.0A ?TheSOT?223packagecanbe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BCP56-10T1G

NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPNSiliconEpitaxialTransistor TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT?223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features ?HighCurrent:1.0A ?TheSOT?223packagecanbe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BCP56-10T3G

NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPNSiliconEpitaxialTransistor TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT?223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features ?HighCurrent:1.0A ?TheSOT?223packagecanbe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BCP56-10T-Q

Marking：P5610T；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10T3G

Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BCP56-10TF

Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BCP56-10T

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 1A 100V NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP/恩智浦
21+
SOT223
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Nexperia/安世
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SOT-223
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更多BCP56-10T供應(yīng)商 更新時間2025-3-24 16:13:00

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