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BCP56-10T3G

NPN Silicon Epitaxial Transistor

NPNSiliconEpitaxialTransistor TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT?223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features ?HighCurrent:1.0A ?TheSOT?223packagecanbe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BCP56-10T3G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NSVBCP56-10T3G

NPNSiliconEpitaxialTransistor

NPNSiliconEpitaxialTransistor TheseNPNSiliconEpitaxialtransistorsaredesignedforuseinaudioamplifierapplications.ThedeviceishousedintheSOT?223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features ?HighCurrent:1.0A ?TheSOT?223packagecanbe

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BCP56-10T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    130MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT223

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多BCP56-10T3G供應商 更新時間2025-1-20 8:12:00