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BD640CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BD640CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?F	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
BFP640	文件：272.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz ?	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：190.83 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP640FislinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCE=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：249.33 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640F	文件：1.4354 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP640FESD	文件：1.64277 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY640	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY640B	文件：136.06 Kbytes Page：3 Pages	HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor HiRelNPNSiliconGermaniumRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●HighgainlownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain:Gms24dBat1.8GHz ●NoisefigureF=0.8dBat1.8GHz NoisefigureF=1.1dBat6GHz ●Hermeticallysealedmicrowavepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BLV640	文件：438.86 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BRD640	文件：1.18135 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRUS640	文件：58.03 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY8AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi

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詳細參數(shù)

型號：
BCG640
制造商：
Thomas & Betts
功能描述：
GROMMET,SPLIT,BULKHEAD,13-14MM

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市星辰微電科技有限公司	BCG67Q120S6	BYD	22+	MODULE	6500	BYD全系列在售	詢價
深圳市芯皇電子有限公司	BCG67Q120S6	BYD	22+	MODULE	5000	原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)	詢價
深圳市能元時代電子有限公司	BCGA1126	APPLE	23+	SMD	19370	##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢價
深圳市駿創(chuàng)達科技有限公司	BCG-AVR-A-0120GL-001	AMPHENOL/安費諾	2420+	/	326305	一級代理,原裝正品!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BCH023	MTI	23+	pcs	5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
深圳市東來寶電子科技有限公司	BCH0802O12A1C	施耐德	22+	DIP	4740	鄭重承諾只做原裝進口貨	詢價
深圳市云美電子科技有限公司	BCH0802O12A1C	施耐德	22+	DIP	4740	原裝進口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市云迪科技有限公司	BCH103	PHILIPS	22+	SOT23-3	10000	原裝正品優(yōu)勢現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BCH103	PHILIPS	2023+	SOT23-3	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	BCH2050KHL	ATHEROS	2023+	BGA	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價

更多BCG640供應(yīng)商更新時間2024-11-16 11:00:00

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