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BC847S

NPNNPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

BC847S

NPN Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current gain)

NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC847S

NPN Silicon AF Transistor Array

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case

Diotec

Diotec Semiconductor

BC847S

NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier

NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BC847S

Multi-Chip Transistor

Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC847S

Multi-chip transistor (NPN)

Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

BC847S

NPN Silicon AF Transistor Arrays

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

Multi-Chip TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

BC847S

Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC847S

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN GP AMP SC70-6

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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更多BC847S供應(yīng)商 更新時間2025-4-11 23:00:00

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