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BC847S

NPNNPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

BC847S

NPN Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current gain)

NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BC847S

NPN Silicon AF Transistor Array

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847S

NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier

NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BC847S

Multi-Chip Transistor

Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC847S

Multi-chip transistor (NPN)

Multi-chiptransistor(NPN) APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

BC847S

NPN Silicon AF Transistor Arrays

NPNSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage ?BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847S

Multi-Chip TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:300mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

BC847S

Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BC847S

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT NPN GP AMP SC70-6

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7298
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
 詢(xún)價(jià)
INFNEON
2016+
SOT363
9000
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
 詢(xún)價(jià)
恩XP
SOT-363
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢(xún)價(jià)
長(zhǎng)電
24+
SOT-363
890000
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢(xún)價(jià)
Infineon
2021+
6800
原廠原裝,歡迎咨詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
CJ/長(zhǎng)電
25+
SOT-363
157359
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢(xún)價(jià)
05+
原廠原裝
3051
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
INFINEON
24+
SOT363
3600
絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣(mài)!
 詢(xún)價(jià)
更多BC847S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-11 23:00:00

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