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BC847CQB	文件：241.29 Kbytes Page：13 Pages	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQB	文件：245.13 Kbytes Page：13 Pages	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQB-Q	文件：241.47 Kbytes Page：13 Pages	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQB-Q	文件：245.2 Kbytes Page：13 Pages	45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQB-QZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：3-XDFN 裸露焊盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQBZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：3-XDFN 裸露焊盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 45V 0.1A DFN1110D-3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQC	文件：232.25 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CQC-Q	文件：260.399 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits ?Highpowerdissipationcapability ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages ?Lowpackageheightof0.5mm ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC847CRF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC847CRFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC847CS	文件：138.77 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES ?GeneralPurposeAmplifierApplications ?CollectorCurrentIC=-100mA ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BC847CS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES ?Ideallysuitedforautomaticinsertion ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847CT	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment ?Electronicdataproce	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847CT	文件：59.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>45V ?IC=100mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryPNPType:MMBT3906T ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifie	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847CT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC847CT	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon p/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC847CT	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC847CT	文件：353.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC847CT	文件：195.95 Kbytes Page：3 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●ForswitchingandAFamplifierapplication. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC847CT	文件：84.85 Kbytes Page：3 Pages	NPNSurfaceMountSmallSignalTransistor150mW Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpitaxialDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857AT,BT,CT) ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC

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更多BC847CQB供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-14 15:00:00

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