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BC846CDW

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Twotransistorsinonepackage Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC846CMTF

NPNEpitaxialSiliconTransistor

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BC846CW

GeneralPurposeTransistorNPNSilicon

GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC846CW

NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPTypes:BC856W–BC858W ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor

DIODES

Diodes Incorporated

BC846CW

NPNTransistor

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

BC846CW

NPNTransistor

FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

BC846CW

NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors

FUTUREWAFER

FutureWafer Tech Co.,Ltd

BC846CW

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC846DS

65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor

Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposetransistorpairinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollectorcapacitance ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Closelymatchedcurrentgain ■Reducesnumberofcomponentsandboardspace ■

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BC846DS

65V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor

Features *Lowcollectorcapacitance *Lowcollector-emittersaturationvoltage *Closelymatchedcurrentgain *Reducesnumberofcomponentsandboardspace *Nomutualinterferencebetweenthetransistors *AEC-Q101qualified

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BC846BW-G

  • 功能描述：

    射頻MOSFET小信號晶體管 80B, 100mA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Dual Dual Gate

  • 晶體管極性：

    N-Channel 電阻汲極/源極

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    6 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    6 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    30 mA

  • 功率耗散：

    180 mW

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SC-88

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT-23
5000
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SOT323-3
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NA
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Infineon Technologies
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5000
原裝正品,提供BOM配單服務
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Infineon Technologies
2022+
PG-SOT323-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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INFINEON
23+
PG-SOT323-3
8000
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INFINEON
23+
PG-SOT323-3
7000
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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SOT-323
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24+
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更多BC846BW-G供應商 更新時間2025-3-26 16:04:00

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