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BC807S-A	文件：107.16 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807S-B	文件：107.16 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807S-C	文件：107.16 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U	文件：45.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistorArray PNPSiliconTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedTransistors withgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC807U	文件：74.95 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC807U	文件：528.31 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC807U	文件：1.0742 Mbytes Page：3 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURE ●ForAFinputstagesanddriveapplications ●HighhFE ●LowVCE(sat) ●Tow(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
BC807U	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U	文件：379.81 Kbytes Page：3 Pages	DualPNPTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?ForAFinputstagesanddriveapplications ?HighhFE ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityL	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC807U-A	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U-B	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U-C	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation225mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC807W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ?ForgeneralAFapplications ?Highcollectorcurrent ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC807W	文件：155.82 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●ComplementstheBC817W. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeamplificationandswitching.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC807W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC807W	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC807W	文件：40.37 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ComplementarytoBC817W.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
BC807W	文件：61.13 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage,forgeneralswitchingandamplification. FEATURES ?Highcurrent ?S-minipackage.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC807W	文件：275 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Ldeallysuitedforautomaticinsertion ?epitaxialplanardieconstruction ?complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳中芯器材有限公司	BC807SG-25	PJSEMI(平晶微)	23+	SOT-23-6	500	三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)	詢價(jià)
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更多BC807S-A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 10:20:00

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