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BAV301-TR

Small Signal Switching Diodes, High Voltage

FEATURES ?Siliconepitaxialplanardiodes ?Savingspace ?Hermeticsealedparts ?FitsontoSOD-323/SOT-23footprints ?Electricaldataidenticalwiththedevices ??BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BAV301-TR

Package：2-SMD，無引線；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GP 100V 250MA MICROMELF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BAV301-TR3

Small Signal Switching Diodes, High Voltage

FEATURES ?Siliconepitaxialplanardiodes ?Savingspace ?Hermeticsealedparts ?FitsontoSOD-323/SOT-23footprints ?Electricaldataidenticalwiththedevices ??BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BAV301-TR3

Package：2-SMD，無引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GP 100V 250MA MICROMELF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BB301

BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

Features ?BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF, Rs=0conditions.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

BB301

BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

BB-301

BaseboardforoneTMCM-301/TMCM-341andupto3TMCM-035

TRINAMIC

TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.

BB301C

BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

Features ?BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF, Rs=0conditions.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

BB301C

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier

Features ?BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics; (NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD; BuiltinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackag

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BB301CAW-TL-E

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier

Features ?BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics; (NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD; BuiltinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackag

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BAV301-TR

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    250mA

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    1.5pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    2-SMD，無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    MicroMELF

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    175°C（最大）

  • 描述：

    DIODE GP 100V 250MA MICROMELF

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY/威世通
24+
MINI
10000
原裝正品,假一罰十!
 詢價(jià)
VISHAY
24+
LL-34SOD-80
6200
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價(jià)
Vishay
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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VISHAY
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DO-213
16750
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
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VISHAY/GS
1922+
NA
35689
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨
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VISHAY/威世
23+
O805
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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VISHAY/威世
2022
O805
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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VISHAY
01+
MINI
10000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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VISHAY/威世
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LL34-0805
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Vishay
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
更多BAV301-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 15:25:00

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