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AUIRG4BC30S-S	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
AUIRG4BC30S-SL	文件：307.07 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
AUIRG4BC30U-S	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC	IRF International Rectifier	IRF
AUIRG4BC30U-S	文件：306.76 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowVCE(ON)andSwitchingLosses ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·Welding ·PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AUIRG4BC30U-SL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC	IRF International Rectifier	IRF
AUIRG4BC30USTRL	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC	IRF International Rectifier	IRF
AUIRG4BC30USTRR	文件：329.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?IndustrystandardD2Pak&TO-262package ?Lead-Free,RoHSCompliant ?AutomotiveQualified* Benefits ?TypicalApplications:SMPS,PFC	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30KD	文件：196.13 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：139.38 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：275.6 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
G4BC30W	文件：287.76 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：137.95 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Generation4IGBTsoff	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：167.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Generation4IGBTsoff	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30F	文件：177.75 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30FD	文件：412.64 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A) Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
AUIRG4BC30S-S
功能描述：
IGBT 晶體管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市達恩科技有限公司	AUIRG4BC30S-S	Infineon	18+	NA	3628	進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190	詢價
深圳市華來深電子有限公司	AUIRG4BC30S-S	IR	23+	TO-263	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
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