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AS4C128M8D1-6TIN 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 ALLIANCE MEMORY

AS4C128M8D1-6TIN參考圖片

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原廠料號：AS4C128M8D1-6TIN品牌：Alliance Memory

支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨

AS4C128M8D1-6TIN是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Alliance Memory/Alliance Memory, Inc.生產(chǎn)封裝TSOPII-66/66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）的AS4C128M8D1-6TIN存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    AS4C128M8D1-6TIN

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ALSC詳情

  • 廠商全稱：

    Alliance Semiconductor Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    57 頁

  • 文件大小：

    1448.19 kb

  • 資料說明：

    Concurrent auto precharge option is supported

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    AS4C128M8D1-6TIN

  • 制造商：

    Alliance Memory, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    66-TSOP II

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP II

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機(jī)：

    13682380609

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)賽格電子市場69樓6904B-6905A室

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