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Marking：AS20MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=104AatTC=25°C ?RDS(on)=19mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowestde | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
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