丰满鲍鱼20p,99久久免费国产成人一区二区三区

首頁 >APT904RDN>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
APT904RDN	文件：328.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT904RGN	文件：297.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AR904	文件：167.27 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto2900V Meanforwardcurrent1230A Surgecurrent10.1kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT-904	文件：81.63 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators(DCto8GHz)	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
BF904	文件：303.6 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904A	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904A	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904AR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AWR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904AWR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AWR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904R	文件：303.6 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904R	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904R	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904R	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
瑞航達(dá)科技(深圳)有限公司	APT90DR160HJ	MICROSEMI			638	原裝正品	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	APT90DR160HJ	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	APT90DR160HJ	MICROSEMI	1809+	SOT-227	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	APT90DR160HJ	Microsemi Corporation	22+	SOT227	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	APT90DR160HJ	Microsemi Corporation	21+	SOT227	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	APT90DR160HJ	Microsemi Corporation	23+	SOT227	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	APT90DR160HJ	Microchip	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
浙江永芯科技有限公司	APT90DR160HJ	IXFN	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	5000	原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊可控硅晶閘管熔斷器質(zhì)保	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	APT90DR160HJ	MICROCHIP	23+		7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	APT90DR160HJ	MICROCHIP	23+		7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多APT904RDN供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 15:00:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存