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AR904	文件：167.27 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIER DIODE Repetitivevoltageupto2900V Meanforwardcurrent1230A Surgecurrent10.1kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AR904S29	文件：167.27 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIER DIODE Repetitivevoltageupto2900V Meanforwardcurrent1230A Surgecurrent10.1kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT-904	文件：81.63 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators(DCto8GHz)	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
BF904	文件：303.6 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904	文件：309.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904A	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF904A	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF904AR	文件：308.77 Kbytes Page：15 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

詳細(xì)參數(shù)

型號：
AR904
制造商：
POSEICO
制造商全稱：
POSEICO
功能描述：
RECTIFIER DIODE

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鵬順微電子科技有限公司	AR904	POSEICO/意大利	2022+	1232A/2900V	500	長期供應(yīng),價(jià)格優(yōu)勢,全新原裝,支持實(shí)單,	詢價(jià)
浙江永芯科技有限公司	AR904	POSEICO	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	5000	原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊可控硅晶閘管熔斷器質(zhì)保	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	AR904P12	ANSALDO	24+	MODULE	2100	一級代理/全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)!!!	詢價(jià)
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