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APT85GR120JD60

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT85GR120JD60

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT85GR120JD60

包裝:管件 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT85GR120JD60

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,85A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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