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APT85GR120L

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT85GR120L

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT85GR120L

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 170A 962W TO264

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT85GR120J

PowerSemiconductorsPowerModulesRFPowerMOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT85GR120L

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，85A

  • 開關(guān)能量：

    6mJ（開），3.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    43ns/300ns

  • 測試條件：

    600V，85A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264

  • 描述：

    IGBT 1200V 170A 962W TO264

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT85GR120L供應(yīng)商 更新時間2024-10-24 14:46:00

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