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APT68GA60B

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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APT68GA60B

High Speed PT IGBT

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APT68GA60B

Power Semiconductors Power Modules

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APT68GA60B

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 121A 520W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT68GA60B2D40

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT68GA60B2D40

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT68GA60B2D40

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 變式 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 121A 520W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT68GA60S

HighSpeedPTIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT68GA60B

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 8?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    715μJ（開），607μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    21ns/133ns

  • 測試條件：

    400V，40A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 121A 520W TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT68GA60B供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 14:59:00

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