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APT30GP60BDQ1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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  • 廠家型號(hào)：

    APT30GP60BDQ1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Microsemi/美高森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    13

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-19 13:48:00

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原廠料號(hào)：APT30GP60BDQ1G品牌：Microsemi/美高森美

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  • 芯片型號(hào)：

    APT30GP60BDQ1G

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ADPOW詳情

  • 廠商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    438.2 kb

  • 資料說(shuō)明：

    POWER MOS 7 IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT30GP60BDQ1G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    260μJ（開(kāi)），250μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    13ns/55ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 100A 463W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳誠(chéng)思涵科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    18617036499

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82579440

  • 傳真：

    0755-82579440

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步路上步工業(yè)區(qū)101棟五層518室

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