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APT30GP60B2DLG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT30GP60B2DLG
廠商型號

APT30GP60B2DLG

參數(shù)屬性

APT30GP60B2DLG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX

功能描述

Resonant Mode Combi IGBT
IGBT 600V 100A 463W TMAX

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

219.74 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 22:59:00

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APT30GP60B2DLG規(guī)格書詳情

APT30GP60B2DLG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APT30GP60B2DLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APT30GP60B2DLG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    260μJ(開),250μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    13ns/55ns

  • 測試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    T-MAX?

  • 描述:

    IGBT 600V 100A 463W TMAX

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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