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APT10M25BVR

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10M25BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT10M25SVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching

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Advanced Power Technology

C10M25

CircuitProtectionSolutionsLowVoltageFuseLinksCatalogue

COOPER

COOPER

C10M25I

CircuitProtectionSolutionsLowVoltageFuseLinksCatalogue

COOPER

COOPER

HD10M25

HIGH-FREQALUMINUMELECTROLYTIC

NTE

NTE Electronics

NEV10M25

ALUMINUMELECTROLYTIC6.3Vto100V

NTE

NTE Electronics

NLER10M25

MiniatureAluminumElectrolyticCapacitors

NIC

NIC-Components Corp.

NPR10M25

NON−POLARALUMINUMELECTROLYTIC

NTE

NTE Electronics

TD10M25

SOLIDTANTALUM

NTE

NTE Electronics

VHT10M25

105?CALUMINUMELECTROLYTIC

NTE

NTE Electronics

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    APT10M25BVR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 75A TO-247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    POWER MOS V®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
APT
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原廠原封
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更多APT10M25BVR供應(yīng)商 更新時間2024-12-30 16:30:00

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