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APT1001RBVR	文件：68.19 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVIisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs PowerMOSVI?isanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVFR	文件：123.99 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?AvalancheEner	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVR	文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1001RSVR	文件：76 Kbytes Page：4 Pages	100AvalancheTested PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT1001RSVRG	文件：76 Kbytes Page：4 Pages	100AvalancheTested PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ARJ-1001	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASH1001	文件：576.87 Kbytes Page：1 Pages	10mmwideIP67&IP68LEDlightstrip	OPTOSUPPLY OptoSupply International	OPTOSUPPLY
ASI1001	文件：18.25 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1001isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: ?PG=12dBmin.at1.0W/1,000MHz ?HermeticMicrostripPackage ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-1001	文件：48.95 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) ■Features 1.SmallSizeandEconomical Berylliaisusedforthematerialoftheresistanceelementtoenabletheterminationtobeofsmallsizeandlowcost. 2.ConnectorsUsed Inthecouplingportion,theAT-1000SerieshasanSMAt	HIROSEHirose Electric Company 廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會(huì)社	HIROSE
AXHS1001	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	PLLSynthesizerinSMDpackage	AXTALAdvanced XTAL Products advanced XTAL Products	AXTAL
AXHV1001	文件：92.18 Kbytes Page：3 Pages	VCO-VoltageControlledOscillator	AXTALAdvanced XTAL Products advanced XTAL Products	AXTAL
B1001ERW	文件：200.59 Kbytes Page：2 Pages	LowCost1x2Inch10WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1001EWA	文件：158.11 Kbytes Page：5 Pages	EVERLIGHTELECTRONICECO.,LTD.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
B1001R	文件：69.34 Kbytes Page：2 Pages	10W,5VDCInputCompact,DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1001RW	文件：74.07 Kbytes Page：2 Pages	Compact1x2Inch10WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B1001RW	文件：187.96 Kbytes Page：2 Pages	B1000RWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
BF-1001	文件：46.44 Kbytes Page：1 Pages	BIG-FOOT-1001	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BMXFCW1001	文件：81.27 Kbytes Page：2 Pages	cordset-40-wayterminal-oneendflyingleads-forM340I/O-10m	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER
BMXFTW1001	文件：77.76 Kbytes Page：2 Pages	cordset-20-wayterminal-oneendflyingleads-forM340I/O-10m	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德電氣	SCHNEIDER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT1001RBVR
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
POWER MOS V®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	APT1001RBVR	APT	24+		8866		詢價(jià)
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	APT1001RBVR	APT	22+	原廠原封	8200	原裝現(xiàn)貨庫存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!!	詢價(jià)
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更多APT1001RBVR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:30:00

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