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APT1001RBVR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
廠商型號(hào) |
APT1001RBVR |
功能描述 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
文件大小 |
68.19 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADPOW |
中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-26 16:42:00 |
APT1001RBVR規(guī)格書詳情
Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
? Faster Switching
? Lower Leakage
? 100 Avalanche Tested
? Popular TO-247 Package
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
APT1001RBVR
- 功能描述:
MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
POWER MOS V®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
22+ |
TO-247 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
APT |
24+ |
8866 |
詢價(jià) | ||||
MICROSEMI-PPGM |
1119 |
10 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中! |
詢價(jià) | |||
NA |
19+ |
64124 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠; |
詢價(jià) | |||
APT |
22+ |
原廠原封 |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
詢價(jià) | ||
Microse |
2020+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
TO-247 |
564 |
詢價(jià) | |||
MICROSEMI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
ADPOW |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) |