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AOTF9N50

500V, 9A N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOTF9N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

EQI9N50

500VN-ChannelMOSFET

Features ?9.0A,500V,RDS(on)=0.73?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical28nC) ?LowCrss(typical20pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF9N50NZ

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FIR9N50FG

N-ChannelPowerMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FQA9N50

500VN-ChannelMOSFET

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQAF9N50

500VN-ChannelMOSFET

Features ?7.2A,500V,RDS(on)=0.73?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical28nC) ?LowCrss(typical20pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQAF9N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=7.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.73mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQB9N50

500VN-ChannelMOSFET

Features ?9.0A,500V,RDS(on)=0.73?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical28nC) ?LowCrss(typical20pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQB9N50

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOTF9N50

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 500V 9A TO220F

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOS(萬代)
24+
標準封裝
10153
我們只是原廠的搬運工
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Alpha & Omega Semiconductor In
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TO-220F
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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TO-220F
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Alpha & Omega Semiconductor In
21+
TO2203
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更多AOTF9N50供應商 更新時間2025-4-24 10:20:00

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