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ALD110802SCL_Advanced Linear Devices Inc._MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch宏捷佳二部

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  • 廠家型號(hào)：

    ALD110802SCL

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Advanced Linear Devices Inc.

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    16-SOIC(0.154 3.90mm 寬)

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    25+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-31 9:09:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：ALD110802SCL品牌：Advanced Linear Devices Inc.

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

  • 芯片型號(hào)：

    ALD110802SCL

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ALD詳情

  • 廠商全稱：

    Advanced Linear Devices

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    108.24 kb

  • 資料說(shuō)明：

    QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：ALD110802SCL

  • Mode

    ：Precision Enhancement Mode

  • Dual Quad

    ：Quad

  • Package Type

    ：SOIC16

  • Threshold Voltage (typ) (V)

    ：0.2

  • Threshold Voltage Tolerance (+/-) (V)

    ：0.02

  • Offset Voltage (Max) (mV)

    ：10

  • Drain On Current (Typ) (mA)

    ：3

  • Gate Input Leakage Current (Max) (pA)

    ：30

  • Drain Source On Resistance (Max) (Ohm)

    ：500

  • Drain Source Leakage Current (Max) (nA)

    ：0.4

  • Drain Source On Resistance Mismatch (typ) (%)

    ：0.5

  • Drain Source Break-down Voltage (Min) (V)

    ：10

  • Other Features

    ：Nanopower

  • Temp Range (degC)

    ：0 to +70

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13717125871

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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