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APM2306AC-TUL

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?30V/3.5A, RDS(ON)=70m?(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42m?(typ.)@VGS=10V ?SuperHighDenseCellDesign ?HighPowerandCurrentHandlingCapability ?SOT-23Package Applications ?SwitchingRegulators ?SwitchingConverters

ANPECAnpec Electronics Coropration

茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司

AT-2306

StriplineMountingFixedAttenuators

HIROSEHirose Electric Company

廣瀨日本廣瀨電機(jī)株式會社

BC2306

Plastic-EncapsulateMOSFETS

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC2306-CAR

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ●PowerMOSFET ●100RgTested ●-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesiteand controlchangerequirements;AEC-Q101qualifiedandPPAPcapable.

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

C2306

MMDS/ISM/S-BandMixer

[PacificWireless] Description TheC2306isaflexible,highintercept,frequencyconversionGaAsMMICpackagedina14pinSOICpackage.TheMMICisusableasanupconverterordownconvertermixer.EachsubcircuitisbroughtoutonseparatepinstoallowforcustomfilteringontheIF/RF

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

C2306TR

MMDS/ISM/S-BandMixer

[PacificWireless] Description TheC2306isaflexible,highintercept,frequencyconversionGaAsMMICpackagedina14pinSOICpackage.TheMMICisusableasanupconverterordownconvertermixer.EachsubcircuitisbroughtoutonseparatepinstoallowforcustomfilteringontheIF/RF

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

CEN2306A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,4.1A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CES2306

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■20V,3.6A,RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=2.5V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=1.8V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CES2306A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,4.1A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEV2306A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,2.2A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    AK2306

  • 制造商：

    Asahi Kasei Microdevices/AKM

  • 類別：

    集成電路（IC） > 編解碼器

  • 包裝：

    托盤

  • 類型：

    PCM

  • 數(shù)據(jù)接口：

    PCM

  • ADC/DAC 數(shù)：

    2 / 2

  • 三角積分：

    無

  • 電壓 - 供電，模擬：

    4.75V ~ 5.25V

  • 電壓 - 供電，數(shù)字：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    24-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-SSOP

  • 描述：

    IC PCM CODEC 2CH 5V 24SSOP

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更多AK2306供應(yīng)商 更新時間2025-3-28 10:50:00

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