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AIKW50N60CT分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
AIKW50N60CT |
參數屬性 | AIKW50N60CT 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IC DISCRETE 600V TO247-3 |
功能描述 | Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode |
絲印標識 | |
封裝外殼 | PG-TO247-3 / TO-247-3 |
文件大小 |
1.97708 Mbytes |
頁面數量 |
16 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-4 11:10:00 |
AIKW50N60CT規(guī)格書詳情
AIKW50N60CT屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產的AIKW50N60CT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
AIKW50N60CTXKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,50A
- 開關能量:
1.2mJ(開),1.4mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
26ns/299ns
- 測試條件:
400V,50A,7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
PG-TO247-3-41
- 描述:
IC DISCRETE 600V TO247-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
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