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AFGHL40T120RWD中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AFGHL40T120RWD
廠商型號

AFGHL40T120RWD

功能描述

IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, Power TO247-3L 1200 V, 1.45 V, 40 A

文件大小

231.22 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 9:16:00

AFGHL40T120RWD規(guī)格書詳情

Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 3?lead package, this device offers the optimum

performance with low on state voltage and minimal switching losses

for both hard and soft switching topology in automotive applications.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? Maximum Junction Temperature ? TJ =175°C

? Short Circuit Rated / Low Saturation Voltage

? Fast Switching / Tighten Parameter Distribution

? AEC?Q101 Qualified, PPAP Available Upon Request

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS Compliant

Applications

? Automotive E?compressor / Automotive EV PTC Heater / OBC

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