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AFGB30T65RQDN中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AFGB30T65RQDN
廠商型號(hào)

AFGB30T65RQDN

功能描述

IGBT for Automotive Applications 650 V, 30 A

文件大小

248.39 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-23 13:34:00

AFGB30T65RQDN規(guī)格書詳情

Using novel field stop IGBT technology, onsemi’s new series of

FS4 IGBTs offer the optimum performance for automotive

applications. This technology is Short circuit rated and offers high

figure of merit with low conduction and switching losses.

Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(Sat) = 1.58 V (Typ.) @ IC = 30 A

? 100% of the Parts Tested for ILM (Note 2)

? High Input Impedance

? Fast Switching

? Tightened Parameter Distribution

? This Device is Pb?Free and RoHS Compliant

Typical Applications

? E?compressor for HEV/EV

? PTC Heater for HEV/EV

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