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BFR193W

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193W

Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193W

iscSiliconNPNRFTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFY193

HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainbroadbandamplifiersupto2GHz.)

Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BFY193

HiRelNPNSiliconRFTransistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.3dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:

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HiRelNPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

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HiRelNPNSiliconRFTransistor

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HiRelNPNSiliconRFTransistor

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