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BFY193P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFY193P
廠商型號

BFY193P

參數(shù)屬性

BFY193P 封裝/外殼為MICRO-X1;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

功能描述

HiRel NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

封裝外殼

MICRO-X1

文件大小

394.35 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-8 22:27:00

BFY193P規(guī)格書詳情

BFY193P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFY193P晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

HiRel NPN Silicon RF Transistor

? HiRel Discrete and Microwave Semiconductor

? For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz.

? For linear broadband amplifiers

? Hermetically sealed microwave package

? fT= 8 GHz

F = 2.3 dB at 2 GHz

? eesa Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006 Type Variant No. 06

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BFY193PZZZA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    MICRO-X1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MICRO-X1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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