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A2G22S251-01SR3

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2G22S251-01SR3

包裝:帶 封裝/外殼:NI-400S-2S 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2G22S251-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    17.7dB

  • 功率 - 輸出:

    52dBm

  • 封裝/外殼:

    NI-400S-2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-400S-2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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