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A2G22S251-01SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2G22S251-01SR3
廠商型號

A2G22S251-01SR3

參數(shù)屬性

A2G22S251-01SR3 封裝/外殼為NI-400S-2S;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

功能描述

RF Power GaN Transistor

文件大小

297.04 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 9:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2G22S251-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    17.7dB

  • 功率 - 輸出:

    52dBm

  • 封裝/外殼:

    NI-400S-2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-400S-2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

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