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71V67603S150PFG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150PFG8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150PFGI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71V67603S150PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IDT71V67603S150BQGI	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V67603S150PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
瀚佳科技(深圳)有限公司	71V67603S150PFG	IDT, Integrated Device Technol	21+	100-TQFP(14x14)	56200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
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