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71V67703S80PFG

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67703S80PFG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67703S80PFG8

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

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71V67703S80PFGI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

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71V67703S80PFGI8

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67703S80PFGI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67703S80PFGI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V67703S80BG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67703S80BGI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67703S80BQ

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67703S80BQI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67703S80PF

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67703S80PFI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V67703S80PFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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