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71V67603S133BQG集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V67603S133BQG |
參數(shù)屬性 | 71V67603S133BQG 封裝/外殼為165-TBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
功能描述 | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect |
文件大小 |
302.92 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
23 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-20 22:59:00 |
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更多71V67603S133BQG規(guī)格書詳情
Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports high system speed:
– 166MHz 3.5ns clock access time
– 150MHz 3.8ns clock access time
– 133MHz 4.2ns clock access time
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
write enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ 3.3V core power supply
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)
◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch
ball grid array (fBGA).
71V67603S133BQG屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V67603S133BQG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
71V67603S133BQG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 同步,SDR
- 存儲容量:
9Mb(256K x 36)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
165-TBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
165-CABGA(13x15)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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