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71V67602133PFG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

71V67602133PFG
廠(chǎng)商型號(hào)

71V67602133PFG

功能描述

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件大小

540.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

24 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-9 10:29:00

71V67602133PFG規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 2.5V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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PBGA119(14x22)
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