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零件編號(hào) | 下載&訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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71V65903S80BG8 | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/ | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | |
71V65903S80BG8 | 包裝:托盤 封裝/外殼:119-BGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
71V65903S80BG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 同步,SDR(ZBT)
- 存儲(chǔ)容量:
9Mb(512K x 18)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
119-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
119-PBGA(14x22)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
2022+原裝正品 |
PBGA-119(14x22) |
18000 |
支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨 |
詢價(jià) | ||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
90-TFBGA |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
119-PBGA(14x22) |
56200 |
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詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
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PBGA-119(14x22) |
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PBGA-119(14x22) |
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Renesas |
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IDT |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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PBGA119(14x22) |
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