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71V65803S100BGGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S100BGGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IDT71V65803S100BG	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V65803S100BGGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲(chǔ)容量：
9Mb（512K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
119-BGA
供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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