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71V65703S85PFG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65703S85PFG

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V65703S85PFG8

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65703S85PFGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65703S85PFGI8

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65703S85PFGI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V65703S85PFGI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V65703S85BG

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65703S85BGI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65703S85BQ

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65703S85BQI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65703S85PF

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65703S85PFI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V65703S85PFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V65703S85PFG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 10:00:00

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