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71V3578S150PFG8集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V3578S150PFG8
廠商型號

71V3578S150PFG8

參數(shù)屬性

71V3578S150PFG8 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

文件大小

288.51 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-19 22:59:00

71V3578S150PFG8規(guī)格書詳情

Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

71V3578S150PFG8屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V3578S150PFG8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    71V3578S150PFG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    4.5Mb(256K x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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