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71V016SA10BF

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10BF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：48-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA10BF8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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71V016SA10BFG

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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71V016SA10BFG8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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71V016SA10BFGI

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

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71V016SA10BFGI8

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

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71V016SA10BFG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V016SA10BFG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：48-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

RENESASRenesas Technology Corp

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71V016SA10BFG8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：48-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V016SA10BF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-CABGA（7x7）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多71V016SA10BF供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 15:00:00

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