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71T75902S75BGG	文件：298.28 Kbytes Page：24 Pages	1M x 18 2.5V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆1Mx18memoryconfiguration ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRITE)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71T75902S75BGG	文件：230.47 Kbytes Page：23 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71T75902S75BGG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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71T75902S75BGG8	文件：230.47 Kbytes Page：23 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71T75902S75BGG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71T75902S75BG	文件：298.28 Kbytes Page：24 Pages	1Mx182.5VSynchronousZBT?SRAM2.5VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆1Mx18memoryconfiguration ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRITE)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71T75902S75PFG	文件：298.28 Kbytes Page：24 Pages	1Mx182.5VSynchronousZBT?SRAM2.5VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆1Mx18memoryconfiguration ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRITE)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71T75902S75BGG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲(chǔ)容量：
18Mb（1M x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
2.375V ~ 2.625V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
119-BGA
供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	71T75902S75BGG	IDT, Integrated Device Technol	21+	119-BGA	5280	進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
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