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7164L20YG

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164L20YG

包裝：管件 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7164L20YG8

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164L20YGI

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164L20YGI8

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164L20YG8

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164L20YG88

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164L20YGI

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164L20YGI8

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164L20YGI

包裝：管件 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7164L20YGI8

包裝：管件 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    7164L20YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多7164L20YG供應商 更新時間2024-12-27 15:41:00

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