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71016S20YG8 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 RENESAS/瑞薩

71016S20YG8參考圖片

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原廠料號(hào)：71016S20YG8品牌：RENESAS(瑞薩)/IDT

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71016S20YG8是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商RENESAS(瑞薩)/IDT/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝SOJ44/44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）的71016S20YG8存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號(hào)：

    71016S20YG8

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    201.15 kb

  • 資料說(shuō)明：

    CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71016S20YG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖冠

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83062789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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